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4年
企业信息

深圳市仕乙电电子有限公司

卖家积分:4001分-5000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
http://www.suyidada.com

人气:48544
企业档案

相关证件:营业执照已审核 

会员类型:

会员年限:4年

陈子鑫 QQ:319087725

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阿库IM:

地址:宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋201-06(诺鉑广場)

传真:0755-23004307

E-mail:Jackie.chen@suyidada.com

元器件产品

芯长征 MPSY65M380B DFN8x8 高压超结MOSFET

型号/规格:MPSY65M380B 品牌/商标:芯长征 封装形式:DFN8x8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 BVDSS:650V ID:10.4A VGS(th):2V~4V RDS(on):0.38Ω Built-in:ESD Diode

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芯长征 MPSY65M260 DFN8x8 高压超结MOSFET

型号/规格:MPSY65M260 品牌/商标:芯长征 封装形式:DFN8x8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 BVDSS:650V ID:15A VGS(th):2V~4V RDS(on):0.26Ω Max

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芯长征 MPSY65M320B DFN8x8 高压超结MOSFET

型号/规格:MPSY65M320B 品牌/商标:芯长征 封装形式:DFN8x8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 BVDSS:650V ID:12.3A VGS(th):2V~4V RDS(on):0.32Ω Max Built-in:ESD Diode

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芯长征 MPSA65M1K0B TO-220F高压超结MOSFET

型号/规格:MPSA65M1K0B 品牌/商标:芯长征 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装盒装包装 功率特征:小功率 BVDSS:650V ID:4.8A VGS(th):2V~4V RDS(on):1 Ω Built-in:ESD Diode

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芯长征 MPSU65M1K0B TO-251 SJ MOSFET

型号/规格:MPSU65M1K0B 品牌/商标:芯长征 封装形式:TO-251 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 BVDSS:650V ID:4.8A VGS(th):2V~4V RDS(on):1 Ω Built-in:ESD Diode

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芯长征 MPSA65M640B TO-220F SJ MOSFET

型号/规格:MPSA65M640B 品牌/商标:芯长征 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 BVDSS:650V ID:6.7A VGS(th):2V~4V RDS(on):0.64Ω Max Built-in:ESD Diode

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芯长征 MPSA65M990 TO-220F SJ MOSFET

型号/规格:MPSA65M990 品牌/商标:芯长征 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 BVDSS:650V ID:4A VGS(th):2.5V~4.5V RDS(on):0.99Ω

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新洁能 NCE6080A TO-220-3L MOSFET

型号/规格:NCE6080A TO-220-3L 品牌/商标:新洁能 封装形式:TO-220-3L 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:中功率 MOSFET:N-channel VDS:60V ID:80A RDS(on):Typ 6.5mΩ VGS(th):0.8~1.8V EAS:390mJ Ciss:4000pF Qg:90.3nC

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场效应管 NCE65T680F TO-220F 新洁能

型号/规格:NCE65T680F 品牌/商标:新洁能 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率 MOSFET:N-ch Super Junction VDS:650V RDS(on):Typ 600mΩ ID:7A EAS:101mJ VGS(th):3~4V Ciss:435pF Qg:11nC

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场效应管 B4N60D TO-252-3L BITEK

型号/规格:B4N60D 品牌/商标:BITEK 封装形式:TO-252-3L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 MOSFET:N-Channl VDSS:600V Vgss:+-30V ID:4A IDM:12A EAS:260mJ RDS(on):Vgs=10V typ2.2欧 Ciss:max 650pF

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